类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
封装:8-PowerTDFN
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基本功能
制造商产品型号:FDMS3660S-F121制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:PowerTrench?零件状态:停产FET类型:2 N 沟道(双)非对称型FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):13A,30A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 13A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1765pF @ 15V功率-最大值:1W工作温度:-安装类型:表面贴装型封装:8-PowerTDFNFDMS3660S-F121 | ON代理全新原装现货
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