基本功能
制造商产品型号：FDI3652制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 100V 9A/61A I2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 61A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：53nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2880pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：150W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I2PAK（TO-262）FDI3652 | ON代理全新原装现货
