类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：INTEGRATED CIRCUIT
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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基本功能
制造商产品型号：FDG6321C-F169制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：INTEGRATED CIRCUIT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：500mA（Ta），410mA（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.3nC @ 4.5V，1.5nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 10V，62pF @ 10V功率-最大值：300mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363FDG6321C-F169 | ON代理全新原装现货以下产品与FDG6321C-F169或许具有相似功能：
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