基本功能
制造商产品型号：FDD18N20LZ制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 200V 16A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：UniFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 8A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1575pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：89W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D-PakFDD18N20LZ | ON代理全新原装现货
