类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
器件封装：TO-263-7
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基本功能
制造商产品型号：FDB0260N1007L制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 27A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：118nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8545pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），250W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263-7FDB0260N1007L | ON代理全新原装现货以下产品与FDB0260N1007L或许具有相似功能：
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