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    PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ-Nexperia代理全新原装现货
    制造：安世半导体（Nexperia）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
    器件封装：I2PAK
    PSMN6R3-120ESQ技术资料下载
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    市场上提供PSMN6R3-120ESQ原装现货的安世半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：PSMN6R3-120ESQ
  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 描述：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：120V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：70A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.7 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：207.1nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11384pF @ 60V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：405W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：I2PAK
  • PSMN6R3-120ESQ | Nexperia代理全新原装现货
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