类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
规格：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
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基本功能
Nexperia公司器件型号：PSMN4R3-100ES,127制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离功能总体描述：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管系列：-零件状态：在售FET 类型：N 沟道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）：100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：170nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9900pF @ 50VVgs（最大值）：±20VFET 功能：-功率耗散（最大值）：338W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.3 毫欧 @ 25A，10V工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔Nexperia公司标准封装：I2PAK封装形式：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AAPSMN4R3-100ES的标准包装数量(SPQ)：- PCSPSMN4R3-100ES | Nexperia代理全新原装现货以下产品与PSMN4R3-100ES或许具有相似功能：
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