类别:FET,MOSFET - 阵列-晶体管
规格:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
6-DFN(1.1x1)
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基本功能
Nexperia公司器件型号:PMDXB600UNE制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离功能总体描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN所属类别:FET,MOSFET - 阵列-晶体管系列:TrenchFET?零件状态:在售FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):600mA不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):620 毫欧 @ 600mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V功率 - 最大值:265mW工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装封装形式:6-XFDFNNexperia公司标准封装:6-DFN(1.1x1)PMDXB600UNE的标准包装数量(SPQ):5000 PCSPMDXB600UNE | Nexperia代理全新原装现货
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