类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
规格:MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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基本功能
Nexperia公司器件型号:PHK18NQ03LT,518制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离功能总体描述:MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管系列:TrenchMOS??零件状态:在售FET 类型:N 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss):30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20.3A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1380pF @ 12VVgs(最大值):-FET 功能:-功率耗散(最大值):6.25W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8.9 毫欧 @ 25A,10V工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装Nexperia公司标准封装:8-SO封装形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PHK18NQ03LT的标准包装数量(SPQ):10000 PCSPHK18NQ03LT | Nexperia代理全新原装现货
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