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    PHB21N06LT,118
    PHB21N06LT,118-Nexperia代理全新原装现货
    制造：安世半导体（Nexperia）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
    器件封装：D2PAK
    PHB21N06LT,118技术资料下载
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    市场上提供PHB21N06LT,118原装现货的安世半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：PHB21N06LT,118
  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TrenchMOS?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：55V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.4nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：650pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：56W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK
  • PHB21N06LT,118 | Nexperia代理全新原装现货
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