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    PHB191NQ06LT
    PHB191NQ06LT-Nexperia代理全新原装现货
    制造：安世半导体（Nexperia）
    类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
    规格：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
    PHB191NQ06LT技术资料下载
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    市场上提供PHB191NQ06LT原装现货的安世半导体代理商之一
    基本功能
  • Nexperia公司器件型号：PHB191NQ06LT,118
  • 制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：TrenchMOS??
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：55V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：75A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：95.6nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7665pF @ 25V
  • Vgs（最大值）：±15V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 25A，10V
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：D2PAK
  • 封装形式：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • PHB191NQ06LT的标准包装数量(SPQ)：800 PCS
  • PHB191NQ06LT | Nexperia代理全新原装现货
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