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    GAN063-650WSAQ
    GAN063-650WSAQ-Nexperia代理全新原装现货
    制造：安世半导体（Nexperia）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
    器件封装：TO-247-3
    GAN063-650WSAQ技术资料下载
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    市场上提供GAN063-650WSAQ原装现货的安世半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：GAN063-650WSAQ
  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 描述：GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：34.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：143W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247-3
  • GAN063-650WSAQ | Nexperia代理全新原装现货
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