类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
TO-262-3
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基本功能
NXP恩智浦完整型号:PSMN6R3-120ESQ制造厂家名称:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):120V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):70A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 25A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):207.1nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11384pF @ 60V功率 - 最大值:405W安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA供应商器件封装:TO-262-3PSMN6R3-120ESQ | NXP代理全新原装现货
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