类别：单端场效应管
规格：MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
3-DFN
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基本功能
NXP恩智浦完整型号：PMXB360ENEA制造厂家名称：NXP Semiconductors描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 1.1A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：130pF @ 40V功率 - 最大值：400mW安装类型：表面贴装封装/外壳：3-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装：3-DFN （1.1x1）PMXB360ENEA | NXP代理全新原装现货以下产品与PMXB360ENEA或许具有相似功能：
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