基本功能
NXP恩智浦完整型号：PMXB350UPE制造厂家名称：NXP Semiconductors描述：MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：447 毫欧 @ 1.2A， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.3nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：116pF @ 10V功率 - 最大值：360mW安装类型：表面贴装封装/外壳：3-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装：3-DFN （1.1x1）PMXB350UPE | NXP代理全新原装现货
