类别：单端场效应管
规格：MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
6-DFN2020MD
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基本功能
NXP恩智浦完整型号：PMPB215ENEAX制造厂家名称：NXP Semiconductors描述：MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：230 毫欧 @ 1.9A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：215pF @ 40V功率 - 最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）PMPB215ENEAX | NXP代理全新原装现货以下产品与PMPB215ENEAX或许具有相似功能：
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