类别:场效应管阵列
规格:MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
LFPAK56D
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基本功能
NXP恩智浦完整型号:BUK7K6R8-40E,115制造厂家名称:NXP Semiconductors描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D系列:TrenchMOS?FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):40V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):40A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28.9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1947pF @ 25V功率 - 最大值:64W安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-1205, 8-LFPAK56供应商器件封装:LFPAK56DBUK7K6R8-40E,115 | NXP代理全新原装现货
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