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BFG35,115
BFG35,115
制造:
NXP(恩智浦)
类别:
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
规格:
RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
封装:TO-261-4,TO-261AA
BFG35,115技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:BFG35,115
制造商:NXP USA Inc.
描述:RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
零件状态:停产
晶体管类型:NPN
电压-集射极击穿(最大值):18V
频率-跃迁:4GHz
噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
增益:-
功率-最大值:1W
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):25 @ 100mA,10V
电流-集电极(Ic)(最大值):150mA
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-261-4,TO-261AA
BFG35,115 | NXP代理全新原装现货
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