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A2G35S160-01SR3
A2G35S160-01SR3
制造:
NXP(恩智浦)
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
规格:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
封装:NI-400S-2S
A2G35S160-01SR3技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:A2G35S160-01SR3
制造商:NXP USA Inc.
描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
零件状态:有源
晶体管类型:LDMOS
频率:3.4GHz ~ 3.6GHz
增益:15.7dB
电压-测试:48V
额定电流(安培):-
噪声系数:-
电流-测试:190mA
功率-输出:51dBm
电压-额定:125V
封装:NI-400S-2S
A2G35S160-01SR3 | NXP代理全新原装现货
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