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    JAN2N6798
    JAN2N6798-Microsemi代理全新原装现货
    制造：美高森美（Microsemi）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
    器件封装：TO-39
    JAN2N6798技术资料下载
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    市场上提供JAN2N6798原装现货的美高森美代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：JAN2N6798
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/557
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：42.07nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：800mW（Ta），25W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-39
  • JAN2N6798 | Microsemi代理全新原装现货
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