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APTM60H23FT1G-Microsemi代理全新原装现货
类别:场效应管模块
规格:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
SP1
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市场上提供APTM60H23FT1G原装现货的美高森美代理商之一
基本功能
  • Microsemi美高森美完整型号:APTM60H23FT1G
  • 制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
  • 系列:-
  • FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):276 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):165nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5316pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:208W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP1
  • 供应商器件封装:SP1
  • APTM60H23FT1G | Microsemi代理全新原装现货
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