类别:场效应管模块
规格:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
SP6
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基本功能
Microsemi美高森美完整型号:APTM120U10SCAVG制造厂家名称:Microsemi Power Products Group描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6系列:POWER MOS 7FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):116A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 58A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1100nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):28900pF @ 25V功率 - 最大值:3290W安装类型:底座安装封装/外壳:SP6供应商器件封装:SP6APTM120U10SCAVG | Microsemi代理全新原装现货
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