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    APTM120DA30CT1G
    APTM120DA30CT1G-Microsemi代理全新原装现货
    制造：美高森美（Microsemi）
    类别：场效应管模块
    规格：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
    SP1
    APTM120DA30CT1G技术资料下载
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    市场上提供APTM120DA30CT1G原装现货的美高森美代理商之一
    基本功能
  • Microsemi美高森美完整型号：APTM120DA30CT1G
  • 制造厂家名称：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • 系列：POWER MOS 8?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：31A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：560nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14560pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：657W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP1
  • 供应商器件封装：SP1
  • APTM120DA30CT1G | Microsemi代理全新原装现货
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  • 以太网供电（PoE）-美高森美（Microsemi）产品主要用途之一以太网供电（PoE）
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