类别:场效应管模块
规格:MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
SP6
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基本功能
Microsemi美高森美完整型号:APTM100H18FG制造厂家名称:Microsemi Power Products Group描述:MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6系列:-FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):43A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):210 毫欧 @ 21.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):372nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10400pF @ 25V功率 - 最大值:780W安装类型:底座安装封装/外壳:SP6供应商器件封装:SP6APTM100H18FG | Microsemi代理全新原装现货
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