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    APTGT50H60RT3G
    APTGT50H60RT3G-Microsemi代理全新原装现货
    制造：美高森美（Microsemi）
    类别：IGBT模块
    规格：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
    SP3
    APTGT50H60RT3G技术资料下载
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    市场上提供APTGT50H60RT3G原装现货的美高森美代理商之一
    基本功能
  • Microsemi美高森美完整型号：APTGT50H60RT3G
  • 制造厂家名称：Microsemi Power Products Group
  • 描述：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  • 系列：-
  • IGBT 类型：沟道和场截止
  • 配置：全桥反相器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A
  • 功率 - 最大值：176W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，50A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：250μA
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：3.15nF @ 25V
  • 输入：单相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻：是
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP3
  • 供应商器件封装：SP3
  • APTGT50H60RT3G | Microsemi代理全新原装现货
    • 美高森美（Microsemi）主要产品：More...
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