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    APTGT35H120T1G
    APTGT35H120T1G-Microsemi代理全新原装现货
    制造：美高森美（Microsemi）
    类别：晶体管 - IGBT - 模块
    规格：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
    封装：SP1
    APTGT35H120T1G技术资料下载
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    市场上提供APTGT35H120T1G原装现货的美高森美代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：APTGT35H120T1G
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 配置：全桥反相器
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：55A
  • 功率-最大值：208W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，35A
  • 电流-集电极截止（最大值）：250μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies)：2.5nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：是
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP1
  • APTGT35H120T1G | Microsemi代理全新原装现货
    • 美高森美（Microsemi）主要产品：More...
  • 集成电路-美高森美（Microsemi）主要产品之一集成电路
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  • 高可靠性IC-美高森美（Microsemi）主要产品之一高可靠性IC
  • 分立器件-美高森美（Microsemi）主要产品之一分立器件
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  • 小型直流电机位置控制-美高森美（Microsemi）产品主要用途之一小型直流电机位置控制
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