类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 900V 59A SP1
器件封装:SP1
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基本功能
制造商产品型号:APTC90DAM60CT1G制造商:Microsemi Corporation描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:CoolMOS?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):900V25°C时电流-连续漏极(Id):59A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 52A、 10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):540nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100VFET功能:超级结功率耗散(最大值):462W(Tc)工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:底座安装器件封装:SP1APTC90DAM60CT1G | Microsemi代理全新原装现货
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