类别:单路IGBT
规格:IGBT 1200V 113A 625W TMAX
原厂封装
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基本功能
Microsemi美高森美完整型号:APT45GP120B2DQ2G制造厂家名称:Microsemi Power Products Group描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX系列:POWER MOS 7IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):113ACurrent - Collector Pulsed (Icm):170A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.9V @ 15V,45A功率 - 最大值:625WSwitching Energy:900μJ (开), 905μJ (关)输入类型:标准Gate Charge:185nC25°C 时 Td(开/关)值:18ns/100nsTest Condition:600V, 45A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:*APT45GP120B2DQ2G | Microsemi代理全新原装现货
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