类别:单路IGBT
规格:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
原厂封装
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基本功能
Microsemi美高森美完整型号:APT33GF120B2RDQ2G制造厂家名称:Microsemi Power Products Group描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX系列:-IGBT 类型:NPT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):64ACurrent - Collector Pulsed (Icm):75A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3V @ 15V,25A功率 - 最大值:357WSwitching Energy:1.315μJ (开), 1.515μJ (关)输入类型:标准Gate Charge:170nC25°C 时 Td(开/关)值:14ns/185nsTest Condition:800V, 25A, 4.3 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:*APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi代理全新原装现货
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