NAND闪存

我们在制程和设计上的创新持续不断地推动NAND的开发，引进行业领先的20纳米NAND就是最好的证明。我们提供多种产品组合，有各自的特点、功能和性能，来满足您具体的器件需求。

我们研发新锐的存储器技术已超过30年。我们悠久传统创新和技术领先帮助我们塑造广泛的NAND闪存产品。我们的高性能NAND产品业已运用到各个领域，从移动到嵌入式和企业存储应用，我们可以为您的设计找到最佳的解决方案。

单层单元（SLC）NAND

高达100,000 P/E的循环耐久性

在各种NAND技术（多层单元（MLC），三层单元（TLC）） 中最快的吞吐量

与 ONFI同步接口兼容

了解更多信息请在MICRON全球网站上观看

多层单元（MLC）NAND

高性能和高耐久性，纠错码（ECC）复杂度较低

密度为单层单元（SLC）NAND的两倍，每比特的造价较低

与 ONFI同步接口兼容

三层单元（TLC）NAND

相同空间内有更高密度，价格低于单层单元（SLC）或多层单元（MLC）NAND

串行NAND

支持大型存储器子系统

提高能源利用率

高性能低能耗

增加带宽