类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
封装:模块
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基本功能
制造商产品型号:MSCSM120AM027CT6AG制造商:Microchip Technology描述:PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:2 N 沟道(相角)FET功能:碳化硅(SiC)漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)25°C时电流-连续漏极(Id):733A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.5 毫欧 @ 360A,20V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.8V @ 9mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2088nC @ 20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):27000pF @1000V功率-最大值:2.97kW(Tc)工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:底座安装封装:模块MSCSM120AM027CT6AG | Microchip代理全新原装现货
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