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    APTM120DA30CT1G
    APTM120DA30CT1G-Microchip代理全新原装现货
    制造：Microchip（微芯）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
    器件封装：SP1
    APTM120DA30CT1G技术资料下载
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    市场上提供APTM120DA30CT1G原装现货的Microchip代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：APTM120DA30CT1G
  • 制造商：Microchip Technology
  • 描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：POWER MOS 8?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：1200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：31A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：560nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14560pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：657W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 器件封装：SP1
  • APTM120DA30CT1G | Microchip代理全新原装现货
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