类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 600V 100A 833W TMAX
封装:TO-247-3 变式
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基本功能
制造商产品型号:APT65GP60B2G制造商:Microchip Technology描述:IGBT 600V 100A 833W TMAX系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:POWER MOS 7?零件状态:不適用於新設計IGBT类型:PT电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):100A电流-集电极脉冲(Icm):250A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,65A功率-最大值:833W开关能量:605μJ(开),896μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:210nC25°C时Td(开/关)值:30ns/91ns测试条件:400V,65A,5 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3 变式APT65GP60B2G | Microchip代理全新原装现货
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