类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
封装:TO-247-3 变式
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基本功能
制造商产品型号:APT33GF120B2RDQ2G制造商:Microchip Technology描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:NPT电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):64A电流-集电极脉冲(Icm):75A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,25A功率-最大值:357W开关能量:1.315mJ(开),1.515mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:170nC25°C时Td(开/关)值:14ns/185ns测试条件:800V,25A,4.3 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3 变式APT33GF120B2RDQ2G | Microchip代理全新原装现货
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