类别:单端场效应管
规格:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
PG-TO252-3
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:SPD18P06P G制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3系列:SIPMOSFET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18.6A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 25V功率 - 最大值:80W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO252-3SPD18P06P G | Infineon代理全新原装现货
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