类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3
器件封装:PG-TO252-3
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基本功能
制造商产品型号:SPD02N60C3BTMA1制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:CoolMOS?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):1.8A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 1.1A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.9V @ 80μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12.5nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):200pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):25W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PG-TO252-3SPD02N60C3BTMA1 | Infineon代理全新原装现货
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