类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
器件封装:6-PQFN(2x2)
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基本功能
制造商产品型号:IRLHS6342TRPBF制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:HEXFET?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):8.7A(Ta),19A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15.5 毫欧 @ 8.5A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 4.5VVgs(最大值):±12V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1019pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):2.1W(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:6-PQFN(2x2)IRLHS6342TRPBF | Infineon代理全新原装现货
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