类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT NPT 600V 11A TO262
封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
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基本功能
制造商产品型号:IRGSL4B60KD1PBF制造商:Infineon Technologies描述:IGBT NPT 600V 11A TO262系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:NPT电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):11A电流-集电极脉冲(Icm):22A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,4A功率-最大值:63W开关能量:73μJ(开),47μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:12nC25°C时Td(开/关)值:22ns/100ns测试条件:400V,4A,100 欧姆,15V反向恢复时间(trr):93ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AAIRGSL4B60KD1PBF | Infineon代理全新原装现货
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