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    IPN60R2K1CEATMA1
    IPN60R2K1CEATMA1-Infineon代理全新原装现货
    制造：英飞凌（Infineon）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
    器件封装：PG-SOT223
    IPN60R2K1CEATMA1技术资料下载
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    市场上提供IPN60R2K1CEATMA1原装现货的英飞凌代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：IPN60R2K1CEATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：CoolMOS?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 欧姆 @ 800mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 60μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.7nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：140pF @ 100V
  • FET功能：超级结
  • 功率耗散（最大值）：5W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-SOT223
  • IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon代理全新原装现货
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