类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
PG-TO262-3
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:IPI65R190C6制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262系列:CoolMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):650V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20.2A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):190 毫欧 @ 7.3A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 730μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):73nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1620pF @ 100V功率 - 最大值:151W安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA供应商器件封装:PG-TO262-3IPI65R190C6 | Infineon代理全新原装现货
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