类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 8TDSON
封装:8-PowerVDFN
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基本功能
制造商产品型号:IPG20N06S4L14ATMA1制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET 2N-CH 8TDSON系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态:停产FET类型:2 N-通道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):20A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13.7 毫欧 @ 17A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 20μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):39nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2890pF @ 25V功率-最大值:50W工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerVDFNIPG20N06S4L14ATMA1 | Infineon代理全新原装现货
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