类别:场效应管阵列
规格:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:IPG20N06S2L-50制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4系列:OptiMOS?FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):55V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 15A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 19μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):560pF @ 25V功率 - 最大值:51W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN供应商器件封装:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)IPG20N06S2L-50 | Infineon代理全新原装现货
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