类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
PG-TO252
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:IPD65R420CFD制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252系列:CoolMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):650V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.7A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):420 毫欧 @ 3.4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 340μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):870pF @ 100V功率 - 最大值:83.3W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO252IPD65R420CFD | Infineon代理全新原装现货
以下产品与IPD65R420CFD或许具有相似功能:
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon