类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
PG-TO-252
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:IPD50R1K4CE制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252系列:CoolMOS CEFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):500V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.1A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 900mA, 13V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 70μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):178pF @ 100V功率 - 最大值:25W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO-252IPD50R1K4CE | Infineon代理全新原装现货
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