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    IPD25CNE8N G
    IPD25CNE8N G-Infineon代理全新原装现货
    制造：英飞凌（Infineon）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
    器件封装：PG-TO252-3
    IPD25CNE8N G技术资料下载
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    市场上提供IPD25CNE8N G原装现货的英飞凌代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：IPD25CNE8N G
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：OptiMOS?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：85V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 35A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 39μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2070pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：71W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO252-3
  • IPD25CNE8N G | Infineon代理全新原装现货
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