类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263
PG-TO263
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:IPB65R660CFD制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263系列:CoolMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):650V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):660 毫欧 @ 2.1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 200μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):615pF @ 100V功率 - 最大值:62.5W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:PG-TO263IPB65R660CFD | Infineon代理全新原装现货
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