类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
PG-TO263-3
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:IPB50R299CP制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 550V 12A TO-263系列:CoolMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):550V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):299 毫欧 @ 6.6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1190pF @ 100V功率 - 最大值:104W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:PG-TO263-3IPB50R299CP | Infineon代理全新原装现货
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