类别：单端场效应管
规格：MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
PG-TO263-3-2
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号：IPB100N04S4-H2制造厂家名称：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 70μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7180pF @ 25V功率 - 最大值：115W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263-3-2IPB100N04S4-H2 | Infineon代理全新原装现货以下产品与IPB100N04S4-H2或许具有相似功能：
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
