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    IPB083N10N3 G
    IPB083N10N3 G-Infineon代理全新原装现货
    制造：英飞凌（Infineon）
    类别：单端场效应管
    规格：MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
    PG-TO263-2
    IPB083N10N3 G技术资料下载
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    市场上提供IPB083N10N3 G原装现货的英飞凌代理商之一
    基本功能
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB083N10N3 G
  • 制造厂家名称：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.3 毫欧 @ 73A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 75μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3980pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：125W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-2
  • IPB083N10N3 G | Infineon代理全新原装现货
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