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    IPB042N10N3 G E8187
    IPB042N10N3 G E8187-Infineon代理全新原装现货
    制造：英飞凌（Infineon）
    类别：单端场效应管
    规格：MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
    PG-TO263-3
    IPB042N10N3 G E8187技术资料下载
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    市场上提供IPB042N10N3 G E8187原装现货的英飞凌代理商之一
    基本功能
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB042N10N3 G E8187
  • 制造厂家名称：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：117nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8410pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：214W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-3
  • IPB042N10N3 G E8187 | Infineon代理全新原装现货
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  • 汽车照明-英飞凌（Infineon）产品主要用途之一汽车照明
  • 家用电器-英飞凌（Infineon）产品主要用途之一家用电器
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  • 太阳能系统解决方案-英飞凌（Infineon）产品主要用途之一太阳能系统解决方案
  • 智能卡安全芯片-英飞凌（Infineon）产品主要用途之一智能卡安全芯片
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